三星推出第三代 HBM3E

by 亞當·阿姆斯特朗 2020 年 2 月 4 日

寫亞當·阿姆斯特朗 2020 年 2 月 4 日

三星電子有限公司發布了第三代高帶寬內存 2E (HBM2E)，也稱為“Flashbolt”。最新一代的 HBM2E 為 16GB，非常適合 HPC 系統，同時也有助於超級計算機、人工智能驅動的數據分析和最先進的圖形系統。在這一代產品生產期間，Aquabolt 將繼續生產。

上一代 Aquabolt 的容量為 8GB。 Flashbolt 通過在緩衝芯片頂部垂直堆疊八層 16 納米級 (10y) 1 吉比特 (Gb) DRAM 芯片來達到 16GB。此外，Flashbolt 以超過 40,000 個“矽通孔”(TSV) 微凸塊的精確排列相互連接，每個 16Gb 芯片包含超過 5,600 個這些微孔。對於性能，三星表示最新一代可以達到每秒 3.2 吉比特的可靠數據傳輸速度和每個堆棧 410GB/秒的內存帶寬。這比上一代的 307GB/s 有了很大的改進。

庫存情況

三星預計將在 2020 年上半年開始量產。

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