三星以三星半導體美國總裁 Jae Jeong 的開幕主題演講拉開了虛擬技術日的序幕，重點介紹了存儲密度和速度、安全性、計算存儲方面的進步以及與其他行業領導者的合作。 在他的開場白之後，答題器被移交給吉姆·埃利奧特 (Jim Elliott)，以擴展三星的重點和方向。 熱門話題包括計算存儲和 AI，在其他演示文稿中進行了詳細擴展。
三星以三星半導體美國總裁 Jae Jeong 的開幕主題演講拉開了虛擬技術日的序幕，重點介紹了存儲密度和速度、安全性、計算存儲方面的進步以及與其他行業領導者的合作。 在他的開場白之後，答題器被移交給吉姆·埃利奧特 (Jim Elliott)，以擴展三星的重點和方向。 熱門話題包括計算存儲和 AI，在其他演示文稿中進行了詳細擴展。
2021 年三星技術日
該活動分為四類：主題演講、技術展示、客戶協作和學術界。
主題演講重點介紹了三星與合作夥伴和客戶所做的努力，展示了內存、存儲和計算技術方面的進步。 整個活動中突出的合作夥伴包括 VMware、Broadcom、Intel 和 Xilinx 等，他們都以虛擬方式為會議做出了貢獻。
總體主題圍繞數據的指數增長和提供解決方案的需求，使客戶能夠將硬件部署到服務技術，如大數據、物聯網、人工智能、計算存儲和元宇宙。 近兩年來，大流行病一直在推動這種增長，總體需求似乎沒有任何放緩。
計算存儲
如今，計算存儲對於所有有意繞過性能瓶頸並最大化其數據價值的企業數據管理人員來說都很重要。 三星在此次活動期間的多個演示中解決了這個問題，並通過現場演示驗證了該技術。
Samsung SmartSSD 與 Xilinx 合作，旨在提高工作負載性能和系統效率，將三星固態存儲和靈活的 Xilinx FPGA 計算引擎結合在單個設備中。 在存儲器和 FPGA 之間提供內部數據路徑可以更有效地傳輸數據以進行本地處理。 使用計算存儲技術的本地處理速度更快，並且釋放了主機內存帶寬和 I/O 接口帶寬（PCIe 通道）。 據三星稱，SmartSSD 驅動器可以擴展以匹配數據量，沒有瓶頸。
三星的 SmartSSD CSD 現已上市，並在日益擁擠的下一代計算存儲領域展開競爭。
三星V-NAND的演進
NAND 閃存解決方案旨在將數據存儲在二維 (2D) 結構上，其中芯片按比例縮放並放置在平面上。 但是這些二維結構在可以存儲的數據量方面有很大的局限性。
2013 年，三星率先推出了 V-NAND（“V”代表垂直）閃存，這是一種通過垂直堆疊 3D 空間中的穿孔連接其單元層的解決方案。
它所帶來的技術變革可以與習慣於住在一層或兩層樓房的人們第一次搬進高層公寓的經歷相提並論。
三星展示了一款基於其 7 的消費級固態硬盤 (SSD) 產品th 新一代 V-NAND 芯片，這是業界迄今為止單元尺寸最小的解決方案。 7號th 一代 V-NAND 解決方案同時滿足 4 的性能要求th一代 PCIe 接口 (PCIe Gen 4) 和後來的 5th 代 (PCIe Gen 5)，這要歸功於其每秒 2.0 吉比特 (Gbps) 的最大輸入輸出 (I/O)。
該7th 一代V-NAND將擴展到數據中心SSD，比16年降低功耗和提高6%的效率th 一代解決方案。 該公司已經獲得了其 8 的工作芯片th 具有超過200層的新一代V-NAND解決方案，併計劃根據消費者需求將其推向市場。
人工智能（AI）
三星通過推進高帶寬內存 (HBM) 和內存處理 (PIM) 開發，解決了 AI 應用程序開發和部署的巨大增長問題。
傳統的 HBM 已跟不上人工智能 (AI) 和機器學習 (ML) 領域的創新速度。 這是因為 AI/ML 應用程序不僅要處理數量驚人的數據，而且要始終處理得更快更好，這就需要增加帶寬。
30 多年來，內存處理 (PIM) 技術的概念作為帶寬限制的解決方案一直被討論、研究和修改。 然而，解決使其可行所需的技術挑戰的動力還不夠強大。 原因如下：
PIM 技術的問題在於，存儲器和邏輯集成一直是在犧牲存儲密度或邏輯優化處理之間進行權衡。 因此，相對於集成的技術障礙和成本，最終 PIM 設備的性能和功能總是表現不佳。
基於 AI/ML 的“應用程序”的爆炸式增長刺激了對 PIM 技術開發的投資。 AI/ML 算法需要高速率訪問大容量數據、內存帶寬和功耗，限制了 AI/ML 應用程序的性能和功能。 PIM 解決了典型的 CPU/GPU 內存帶寬瓶頸，提高了 AI/ML 應用程序的性能和能力。
三星展示了其採用內存處理 (HBM-PIM) 技術的新型高帶寬內存，在同一塊矽片上集成了高性能內存、並行數據處理和 DRAM。 HBM-PIM 基於 JEDEC 標準 HBM2 規範，但通過“內存處理器”或 PIM 架構得到增強。 基於HBM2的成功，三星已經計劃在即將推出的HBM3中加入PIM技術。
預計將在 3 年第二季度看到 HBM2。
數據驅動世界的存儲解決方案
三星使用五支柱類比對存儲技術創新進行分類。 存儲的支柱之一解決了對密度的持續需求。 在過去一年左右的時間裡成為主流的一項技術是三星的“統治者”。 我們在 1 月份對 EXNUMX.S 進行了深入研究，重點介紹了該產品的優缺點。 你可以獲得一些額外的背景 這裡.
三星在數據驅動主題演講中展示了新的 E1.L 128TB SSD。 這無疑滿足了 SSD 的密度要求。
其他支柱是速度、安全性、界面和智能。
為了滿足人口稠密的數據中心的需求，以太網 SSD (E-SSD) 成為焦點，減少了存儲所需的不同連接類型。 三星和 NetApp 演示了 NVMe-over-Ethernet。 現場演示驗證了 E-SSD 的開發，展示了網絡中接口速度和吞吐量的差異。 雲提供商已花費數十億美元構建基於密集千兆位以太網交換機的數據中心。 能夠將存儲技術接口整合到以太網交換機中，從而降低雲提供商的總體 TCO。
在圍繞創新的討論中，三星討論了 PB-SSD 和 AI-SSD 技術的開發工作。 這些都處於發展的早期階段，但肯定在地平線上。
分區命名空間 SSD
三星提供了其採用分區命名空間 (ZNS) 技術的企業級固態硬盤 (SSD) 的演示。 利用 ZNS，SSD 將最大限度地提高可用用戶容量，並延長存儲服務器、數據中心和雲環境中的使用壽命。 支持 ZNS 的 PM1731a SSD 最初於 2021 年 XNUMX 月發布。
隨著 NVMe 2.0 的發布，ZNS 已成為業界公認的在數據中心工作負載中更好地使用 NAND 的努力； ZNS 承諾降低 NAND 的 TCO，同時保持主機和 SSD 責任之間的明確分離。 然而，ZNS 廣泛採用的剩餘挑戰之一是應用程序用戶需要接受的變化。 具體來說，直接實現對 ZNS 支持的應用程序會丟失文件系統語義，這對現有工具鏈造成了限制。
ZNS 允許根據數據的使用和訪問頻率對數據進行分組，並按順序存儲在 SSD 內的獨立區域中。 無需移動和重新排列數據，ZNS SSD 可以顯著減少寫入操作的次數，從而降低驅動器的寫入放大係數 (WAF)——與主機系統最初指示的寫入相比，驅動器執行的實際寫入次數。 WAF 越接近 XNUMX，SSD 的效率越高，持續時間越長。
儘管 ZNS 的採用越來越受歡迎，但在所有供應商開始支持該技術之前還有一段路要走。 目前三星和西部數據已經擁抱了ZNS。
總結
這些只是三星技術日活動中討論的幾個主題。 雖然它是虛擬的，但內容很紮實，有相關的演示和合作夥伴的支持。 幾所大學也參與了演示。 如果您有興趣了解更多信息，活動的原始鏈接在這裡 – 三星技術日。
三星PM1743 12 年 23 月 21 日推出
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