SanDisk 和 Toshiba 已宣布他們預計將在今年下半年開始批量出貨 15nm NAND。 到目前為止，NAND 的生產質量已基本下降到 19/20nm 範圍。 該合資企業將把 15 納米閃存技術提升為每單元兩位和每單元三位 NAND 閃存架構。 這項工作將在 Fab 5 中完成，取代 19nm NAND 製造。 Fab 5 的第二階段目前正在建設中，該階段也將處理 15nm NAND。
SanDisk 和 Toshiba 已宣布他們預計將在今年下半年開始批量出貨 15nm NAND。 到目前為止，NAND 的生產質量已基本下降到 19/20nm 範圍。 該合資企業將把 15 納米閃存技術提升為每單元兩位和每單元三位 NAND 閃存架構。 這項工作將在 Fab 5 中完成，取代 19nm NAND 製造。 Fab 5 的第二階段目前正在建設中，該階段也將處理 15nm NAND。
SanDisk 稱該工藝節點為“業界最先進的……使我們能夠提供世界上最小和最具成本效益的 128 吉比特芯片。” 該合資企業正在利用工藝和設計創新來沿兩個軸擴展芯片。此外，SanDisk 正在整合他們的全位線 (ABL) 架構，該架構包含他們自己的編程算法和存儲管理方案，而不會影響性能或可靠性。新的閃存芯片預計將驅動與 19nm 技術相同的寫入性能，但由於新的高速接口，數據傳輸速率提高了 30%。
雖然除了技術亮點之外的細節很少，但 SanDisk 和東芝希望在從存儲卡到企業級 SSD 解決方案的所有閃存解決方案中使用 15nm NAND。
