SanDisk 宣布全球首款採用 BiCS 技術的 256Gb 每單元 3 位 (TLC) 48 層 3D NAND 芯片，並與其合作夥伴共同努力在日本四日市開始 3D NAND 試產線運營，東芝。 SanDisk 的 256 Gb X3 BiCS 芯片適用於廣泛的用例，包括消費類、客戶端、移動和企業產品。 兩家公司最初 宣布開發48層3D NAND 回到今年三月下旬。
SanDisk 宣布全球首款採用 BiCS 技術的 256Gb 每單元 3 位 (TLC) 48 層 3D NAND 芯片，並與其合作夥伴共同努力在日本四日市開始 3D NAND 試產線運營，東芝。 SanDisk 的 256 Gb X3 BiCS 芯片適用於廣泛的用例，包括消費類、客戶端、移動和企業產品。 兩家公司最初 宣布開發48層3D NAND 回到今年三月下旬。
BiCS 以前是每單元兩位，是一種非易失性存儲器架構，旨在為基於閃存的設備提供更高級別的密度、可擴展性和性能。 SanDisk 還表示，與之前的傳統 2D NAND 相比，BiCS NAND 內存將顯著提高寫入和擦除耐久性、寫入速度和整體能效。
庫存情況
SanDisk 的 256 Gb X3 BiCS 芯片計劃於 2016 年的某個時候在公司產品中發貨。
