SK海力士宣布開始量產其238層4D NAND閃存。 早在 2022 年 34 月首次宣布，這代表了 NAND 技術的重大飛躍，並以其製造效率脫穎而出，與上一代 176 層相比提高了 XNUMX%。
SK海力士宣布開始量產其238層4D NAND閃存。 早在 2022 年 34 月首次宣布，這代表了 NAND 技術的重大飛躍，並以其製造效率脫穎而出，與上一代 176 層相比提高了 XNUMX%。
簡而言之，SK 海力士的新 NAND 技術由堆疊在 238 個垂直層中的存儲單元組成，可實現更高的存儲密度。 與 4D NAND 等前幾代產品相比，它利用 3D 堆疊架構在更小的物理空間內增加數據存儲。 這將允許在 SSD 板上使用更高容量的 NAND 包。 採用這種 NAND 的固態硬盤尚未發布，但它應該會出現在 SK 海力士和 Solidigm 的下一代企業級和客戶端固態硬盤中。
除了提高密度外，238 層 NAND 閃存還有望提供卓越的性能提升。 數據傳輸速度為每秒 2.4Gb，較上一代提升 50%，讀寫速度提升約 20%。
在與全球主要智能手機製造商成功進行產品兼容性測試後，SK 海力士也準備為智能手機供應 238 層 NAND 閃存。 因此，移動用戶可以期待通過採用這種新的、先進的 NAND 技術的設備獲得增強的用戶體驗和改進的整體性能。
這一進步轉化為更高的成本競爭力，有助於進一步將公司定位為半導體行業的領跑者。 順便說一句，美光在其消息傳遞中非常重視其在“NAND 層戰爭”中的領導地位。 新的 SK 海力士 NAND 再次平衡了競爭環境，因為兩家公司爭奪市場份額的每一個百分比，以鎖定僅次於三星的第二名。
參與 StorageReview
電子通訊 | YouTube | 播客 iTunes/Spotify | Instagram | Twitter | 的TikTok | RSS訂閱
