今天，Smart IOPS 宣布推出面向存儲級內存 (SCM) 市場的新型 NVMe SSD，Unobtanium FN。 新的 SSD 利用 東芝的 XL-Flash 技術 容量從 800GB 到 3.2TB 不等。 Smart IOPS 將於 2019 月 6 日至 8 日在 609 年閃存峰會的 XNUMX 號展位上展示 Unobtanium FN。
今天，Smart IOPS 宣布推出面向存儲級內存 (SCM) 市場的新型 NVMe SSD，Unobtanium FN。 新的 SSD 利用 東芝的 XL-Flash 技術 容量從 800GB 到 3.2TB 不等。 Smart IOPS 將於 2019 月 6 日至 8 日在 609 年閃存峰會的 XNUMX 號展位上展示 Unobtanium FN。
Smart IOPS 由 Manuel d'Abreu、Ashutosh Das 和 Radhakrishnan Nair 創立，以其 TruRandom 技術而聞名。 該公司表示，TruRandom 可以採用其 SSD 並加快應用程序的性能，實現高 IOPS、降低延遲並消除存儲 I/O 瓶頸。 Smart IOPS 旨在讓 CSP、HPC 和企業數據中心更輕鬆地部署具有更高可靠性和 SLA 的 I/O 密集型和延遲敏感型應用程序，據他們所說，成本要低得多。
Unobtanium FN 借鑒阿凡達或拉里·尼文 (Larry Niven)，利用 SCM 技術 XL-FLASH。 與 Intel Optane 非常相似，XL-Flash 位於 DRAM 和 NAND 之間的空間，以比 DRAM 低得多的成本提供巨大的性能提升和超低延遲。 在性能方面，Unobtanium FN 可以提供 1.7 萬次 IOPS 隨機讀取和 800K IOPS 隨機寫入，同時為隊列深度為 75 的隨機讀取操作提供 99.999µs 的 16% QoS 延遲和 30µs 的典型隨機讀取操作延遲。 對於耐用性，新的 SDD 可以在五年內每天達到 15 次驅動器寫入。
Unobtanium FN 可以以合理的價格提供顯著的性能增強。 這對於人工智能、機器學習、數據分析、內容交付和緩存功能等市場非常重要。
