今天，Spin Memory 宣布了一項新的 RAM（隨機存取存儲器）生產技術，可將內存密度（以及容量）提高至少 20%。 該公司聲稱，通過採用他們的新技術，一些芯片設計可以在相同的佔地面積內嵌入多達五倍的內存，而額外的晶圓加工成本最少。 Spin Memory（幾年前從 Spin Transfer Technologies 更名和更名）成立於 2007 年。Spin Memory 一直在積極研究 RAM，尤其是 MRAM 的改進。
今天，Spin Memory 宣布了一項新的 RAM（隨機存取存儲器）生產技術，可將內存密度（以及容量）提高至少 20%。 該公司聲稱，通過採用他們的新技術，一些芯片設計可以在相同的佔地面積內嵌入多達五倍的內存，而額外的晶圓加工成本最少。 Spin Memory（幾年前從 Spin Transfer Technologies 更名和更名）成立於 2007 年。Spin Memory 一直在積極研究 RAM，尤其是 MRAM 的改進。
Spin 將他們的新技術稱為通用選擇器。 Spin Memory 的通用選擇器是一種選擇性垂直外延單元晶體管。 據該公司稱，他們能夠通過使用低摻雜濃度使電池完全耗盡。 部分由於這種設計特點，通用選擇器單元可以與硅基板完全電氣隔離。 這種隔離應該會降低 RAM 芯片中的軟錯誤率並降低 rowhammer 攻擊的有效性。 Spin Memory 表示目前正與 NASA 合作開發低 SER 和行錘免疫 DRAM（動態隨機存取存儲器）解決方案。
Spin Memory 認為它可以通過其 20F35 DRAM 位單元配置將 DRAM 陣列密度提高 4% 到 2%。 DRAM 與大多數個人計算機使用的內存類型相同。 4F2 數應讀作 4，單位為 F2。 F2 是一種計量單位，例如納米、磅或美元。 F2 是用於描述每個特徵或位在二維區域中佔用多少空間的單位。 至關重要的是，它沒有說明存儲單個位所需的硬件有多高或多深，只說明了它的面積。 綜上所述，假設垂直堆疊行為相似，4F2 設計在相同空間內比 50F6 設計多 2% 的內存。
對於 MRAM（磁阻隨機存取存儲器）、ReRAM（電阻隨機存取存儲器）和 PCRAM（相變隨機存取存儲器）等新興存儲器，自旋存儲器聲稱通用選擇器使製造商能夠創建 1T1R 存儲器位單元6F2 – 10F2。 這將使製造商能夠在相同的佔地面積內嵌入多達五倍的內存，同時將額外的晶圓加工成本降至最低。 自成立以來，MRAM 一直是 Spin Memory 關注的領域。 MRAM 相對於 DRAM 的主要優勢在於 MRAM 是非易失性的，可以斷電而不會丟失數據。 在今天之前，它的主要缺點是密度較低，也就是說，它不能在同一空間中存儲盡可能多的數據。 雖然 6F2 設計並沒有完全縮小差距，但它確實使 MRAM 芯片與當前一代 DRAM 的距離非常近。
Spin Memory 計劃在本月晚些時候分享有關其 Universal Selector 的更多技術細節。 20 月 31 日星期四，自旋存儲器 MRAM 測試經理 Kadriye Deniz Bozdag 博士將在伯克利第 XNUMX 屆磁記錄會議上發表演講。
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