Texas Memory Systems 推出了其首款企業級 eMLC 產品，包含 10TB 存儲和 Tier-0 性能，帶寬為 4-8GB/s，隨機 IOPS 為 320K。 所有這些性能都包含在一個小型 1U 機箱中，功率要求僅為 250W。
Texas Memory Systems 推出了其首款企業級 eMLC 產品，包含 10TB 存儲和 Tier-0 性能，帶寬為 4-8GB/s，隨機 IOPS 為 320K。 所有這些性能都包含在一個小型 1U 機箱中，功率要求僅為 250W。
- 世界上最快的存儲®：讀取或寫入的持續 I/O 速率高達 320,000 IOPS，持續隨機帶寬高達 4 GB/秒。
- 容錯閃存 (FTF)：RamSan-810 中使用的閃存是企業級 eMLC 閃存。 RamSan-810 中的每個閃存卡都包含板載 RAID 保護，以防止芯片故障。 此外，先進的芯片級 ECC 為每個塊提供多個位校正區域。
- Series-7 Flash Controller™：RamSan-810 不妥協性能的關鍵之一是 Series-7 Flash Controller。 Series-7 閃存控制器基於高性能 Xilinx FPGA 和 PowerPC 處理器，可現場升級，確保 TMS 客戶始終擁有最佳性能和最新功能。
- Variable Stripe RAID (VSR)™：VSR 是一項專利技術，僅供 TMS 客戶使用，可大幅減少浪費的平面。 如果一個平面出現故障，VSR 會自動重建並重新定位該平面的數據。 然後它允許將數據重寫到該區域，動態改變條帶的大小以避免出現故障的平面。 在傳統的 RAID 方案下，整個條帶將無法使用，所有剩餘的好平面都將丟失。
- 8 Gbit 光纖通道：RamSan-810 帶有新的雙端口 8 Gbit 光纖通道控制器。
- QDR InfiniBand：RamSan-810 最多可配備兩個 QDR InfiniBand 端口。
- Active Spare：一張FTF卡可以指定為active-spare，與芯片級RAID協同工作。 如果其中一張卡發生故障，降低了其 RAID 保護，系統將立即將該卡上的數據遷移到熱備用卡，以恢復到完全冗餘狀態。
- 磨損均衡：RamSan-810 包含磨損均衡技術，可通過分散寫入並最大限度地延長系統的寫入壽命來保護底層閃存介質。
- 完全非易失性：閃存本質上是非易失性的。 在使用 RAM 緩衝區的任何地方都可以將電池集成到設計中，並提供足夠的電量以將緩衝區與閃存同步。
- 無與倫比的可擴展性：單個 1U 機箱可將 2 TB 閃存和兩個光纖通道端口或兩個 InfiniBand 端口升級到 10 TB。 可以添加多個單元以滿足任何容量或性能要求。
- 低功耗：RamSan-810 通常僅使用 250 瓦的功率。
RamSan-810 可提供 8Gb 光纖通道或 QDR InfiniBand 接口，並具有 TMS Series-7 閃存控制器，這是一種基於 FPGA PowerPC 的芯片。 該產品的額定使用壽命為 50 年，寫入工作負載為 XNUMXTB/天。
RamSan-810 在 40U 機架中可擴展 400 倍至 160TB、12.8GB/s 和 40M IOPS。 該系統的功率要求也可擴展到 10KW。
