Toshiba memory America, Inc. 今天宣布推出其存儲級內存 (SCM) 解決方案 XL-FLASH。 XL-FLASH 基於東芝的 BiCS FLASH 3D 閃存技術，每單元 1 位 SLC。 新的 SCM 技術旨在為企業帶來高性能，同時經濟高效地減少延遲。
Toshiba memory America, Inc. 今天宣布推出其存儲級內存 (SCM) 解決方案 XL-FLASH。 XL-FLASH 基於東芝的 BiCS FLASH 3D 閃存技術，每單元 1 位 SLC。 新的 SCM 技術旨在為企業帶來高性能，同時經濟高效地減少延遲。
什麼是東芝 XL-FLASH？
存儲類內存也稱為持久內存（或我們經常提到的 PMEM）。 SCM 具有與 NAND 類似的保留內容的能力，但從性能角度來看，它位於 DRAM 和 NAND 之間的空間。 DRAM 仍然帶來更快的性能，但溢價似乎不會很快下降。 SCM 以可承受的成本向存儲層次結構添加一個或多個新層。 SCM 還帶來了比 DRAM 更高的存儲容量和比 3D NAND 更高的速度（延遲更低）。
主要功能包括：
- 128 吉比特 (Gb) 芯片（採用 2 芯片、4 芯片、8 芯片封裝）
- 4KB 頁面大小可實現更高效的操作系統讀寫
- 16 平面架構可實現更高效的並行性
- 快速頁面讀取和編程時間。 XL-FLASH 提供小於 5 微秒的低讀取延遲，比現有 TLC 快約 10 倍
最初推出的東芝 XL-FLASH 將採用 SSD 格式。 然而，未來可能會看到 SCM 進入位於 DRAM 總線上的內存通道，類似於 NVDIMM。 東芝將在其悠久的 NAND 歷史（因為他們聲稱發明了 NAND 並首先宣布了 3D 閃存）的基礎上將其推向 SCM 市場。
可用性
東芝將於 2020 月開始出樣 XL-FLASH，預計 XNUMX 年開始量產。
