Toshiba Memory America 宣布推出用於嵌入式應用的新系列 SLC NAND 閃存產品。 該公司的第二代串行接口NAND產品支持串行外設接口(SPI)，可用於需要高速數據傳輸的各種應用。 第二代Serial Interface NAND家族共有八款產品，供電電壓分別為2.70~3.60V和1.70~1.95V
Toshiba Memory America 發布了面向嵌入式應用的第二代SLC NAND 閃存產品。 該公司的第二代串行接口NAND產品支持串行外設接口(SPI)，可用於需要高速數據傳輸的各種應用。 新的串行接口 NAND 系列有八種產品，電源電壓分別為 2.70 至 3.60V 和 1.70 至 1.95V。
與前幾代產品相比，新的東芝產品具有更快的速度（即 104MHz 至 133MHz），並具有一個新命令，可加載數據以在 4 位 (QSPI) 模式下進行編程。 東芝表示，增加一個 8Gb 設備也帶來了更高的 NAND 密度。
產品特色
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密度 |
1Gb、2Gb、4Gb、8Gb |
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頁面大小 |
2KByte（1Gb、2Gb）、4KByte（4Gb、8Gb） |
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介面 |
串行外設接口模式 0、模式 3 |
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電源電壓 |
2.70至3.60V，1.70至1.95V |
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工作溫度範圍 |
-40 oC到85 oC |
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功能 |
・133MHz工作頻率 ・編程/讀取 x4 模式 ・高速順序讀取功能 ・ECC功能（ON/OFF、位翻轉計數報告） ・數據保護功能（能夠保護特定的塊） ・參數頁面功能（可以輸出設備的詳細信息） |
可用性
樣品現已上市，量產時間定於 XNUMX 月。
