WD 宣布 BiCS5，第 5 代 3D NAND 技術

by 萊爾·史密斯 2020 年 1 月 31 日

寫萊爾·史密斯 2020 年 1 月 31 日

Western Digital (WD) 今天宣布推出其第五代 3D NAND 技術。 BiCS5 以 TLC 和 QLC 技術為基礎，價格具有競爭力，同時提供出色的容量、性能和可靠性。 WD 表示，這些特性將使其成為聯網汽車、移動設備和人工智能領域數據呈指數級增長的理想選擇。

Western Digital (WD) 今天宣布推出其第五代 3D NAND 技術。 BiCS5 以 TLC 和 QLC 技術為基礎，將具有具有競爭力的價格標籤，同時提供出色的容量、性能和可靠性。 WD 表示，這些特性將使其成為聯網汽車、移動設備和人工智能領域數據呈指數級增長的理想選擇。

5-Gb 芯片中的 BiCS512 TLC 的初始生產已經開始，目前正在交付使用這種新技術的消費產品。 WD 表示，BiCS5 TLC 和 BiCS5 QLC 的主流生產計劃於 2020 年下半年的某個時間開始，並將提供各種容量，包括 1.33Tb。

BiCS5 是 WD 最高密度和最先進的 3D NAND，利用第二代多層內存孔技術、改進的工程流程和其他 2D NAND 單元增強功能。結合起來，它們有望大幅增加晶圓上的水平單元陣列密度。 WD 繼續表示，與 3 層垂直存儲能力相結合時，這些“橫向擴展”的進步使 BiCS112 能夠提供比公司之前的 5 層 BiCS40 技術多 96% 的每晶圓存儲容量。此外，其改進的設計增強功能還提供了高達 4% 的更快的 I/O 性能。

WD 與 Kioxia Corporation 共同開發了 BiCS5 技術，並將在位於日本三重縣四日市和日本岩手縣北上市的合資製造工廠生產。

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