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長江存儲 128 層 QLC 3D NAND 推出

by 亞當·阿姆斯特朗
長江存儲128層QLC

今天,長江存儲科技有限公司(YMTC)宣布了長江存儲128層QLC 3D NAND,形式為1.33Tb NAND存儲芯片X2-6070。 長江存儲表示,新的 NAND 已經通過了多家控制器合作夥伴的驗證,但沒有透露他們的名字。 該公司繼續聲稱,這種新的 QLC NAND 具有業界最高的位密度、I/O 速度和容量。 長江存儲今天也發布了128層512Gb TLC(3 bit/cell)芯片X2-9060。

今天,長江存儲科技有限公司(YMTC)宣布了長江存儲128層QLC 3D NAND,形式為1.33Tb NAND存儲芯片X2-6070。 長江存儲表示,新的 NAND 已經通過了多家控制器合作夥伴的驗證,但沒有透露他們的名字。 該公司繼續聲稱,這種新的 QLC NAND 具有業界最高的位密度、I/O 速度和容量。 長江存儲今天也發布了128層512Gb TLC(3 bit/cell)芯片X2-9060。

長江存儲128層QLC

長江存儲第一 早在 3 年的 FMS 上就宣布了他們的 2018D NAND 技術 Xtacking. 正如我們當時所寫,Xtacking 為處理數據 I/O 和存儲單元操作的外圍電路使用了單獨的晶圓,從而釋放了裸片面積以獲得更好的密度。 該公司表示,它已經優化了 CMOS 電路和存儲器陣列的設計和製造工藝。 該公司以這項技術為基礎,並將其引入 Xtacking 2.0。

QLC 以具有更高的容量和更具成本效益而聞名,與其他類型的閃存相比,這些閃存都與性能有關(或最近的碎片化,其中某些驅動器更適合某些操作)。 新版長江存儲128層自帶新版Xtacking。 據說這款 NAND 通過使用 1.6V Vccq 在 X2-6070 和 X2-9060 上達到 1.2Gbps。 這些數字在 QLC 驅動器上會令人印象深刻。 從容量上看,X2-6070 QLC芯片擁有128層陣列堆棧,包含超過366億個有效電荷陷阱存儲單元。 由於單個存儲單元包含 4 位數據,因此每個芯片總共提供 1.33 Tb。

長江存儲科技有限公司

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