Home Empreendimento Intel e Micron conquistam a tecnologia de memória flash mais inovadora [FMS 2011]

Intel e Micron conquistam a tecnologia de memória flash mais inovadora [FMS 2011]

by Brian Beeler

A Intel e a Micron levaram para casa alguns troféus do Flash Memory Summit deste ano. A dupla ganhou o prêmio de Tecnologia de Memória Flash Mais Inovadora pela tecnologia de processo de memória flash NAND de 20 nm das empresas. O chip NAND de 20 GB e 8 nm da Intel e da Micron oferece a maior capacidade no menor fator de forma.


A Intel e a Micron levaram para casa alguns troféus do Flash Memory Summit deste ano. A dupla ganhou o prêmio de Tecnologia de Memória Flash Mais Inovadora pela tecnologia de processo de memória flash NAND de 20 nm das empresas. O chip NAND de 20 GB e 8 nm da Intel e da Micron oferece a maior capacidade no menor fator de forma.

O chip de 20 GB de 8 nm mede apenas 118 mm e permite uma redução de 30 a 40% no espaço da placa em comparação com os dispositivos NAND de 25 GB e 8 nm existentes. Uma redução no layout de armazenamento flash fornece maior eficiência no nível do sistema e oferece mais espaço em dispositivos como tablets e smartphones para coisas como uma bateria de maior capacidade ou hardware adicional. 

Quanto menor pode NAND ficar?

Atualmente, no espaço SSD, a maioria das unidades de nível um são fornecidas com Intel/Micron NAND de 25 nm, com exceção de algumas unidades que usam Toggle NAND de 32 nm da Toshiba. O caminho para o NAND de 20 nm é um próximo passo lógico, mas o processo de encolhimento tem seus limites. A maioria dos indicadores mostra SSDs de clientes e empresas migrando para NAND de 20nm em 2012, com mais uma redução no tamanho para 1Xnm em meados de 2013. Depois disso, líderes do setor como a Micron tecnologias NAND 3D em andamento, o que abre enormes novas oportunidades em termos de capacidade e desempenho de direção.

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