在 2011 年闪存媒体峰会上，闪存是所有参观者心中一个令人兴奋的话题。 在该市场的中心附近，美光科技在从 NAND 本身到完整的最终用户产品（例如 RealSSD m4/C400 固态硬盘. 尽管采用率的增长速度比以往任何时候都快，但大多数制造商都在考虑下一步是什么？ 对于美光来说，3D NAND 是下一件大事。
在Flash Media Summit 2011 上，闪存是所有参会者心中的一个激动人心的话题。 在这个市场的中心附近，美光在从 NAND 本身到完整的最终用户产品（如 RealSSD m4/C400 固态硬盘. 尽管采用率的增长速度比以往任何时候都快，但大多数制造商都在考虑下一步是什么？ 对于美光来说，3D NAND 是下一件大事。
在过去的一年里，美光的消费产品部门出现了大幅增长，市场渗透率从 1% 跃升至 10%，这要归功于 RealSSD m4 等新型固态硬盘的大量广告宣传。 该驱动器还标志着美光的首款 25 纳米驱动器。 尽管大多数零售购物者仍在应对从 3 纳米到 2 纳米闪存的下降，但美光和其他公司正在研究下一次光刻缩小以及他们将如何应对这种变化。
正如许多人很快意识到随着闪存下降到 25 纳米，耐久性成为一个重要问题，因为写入周期随着 NAND 的每次缩小而减少。 新宣布的 20nm 和 1xnm 的下降继续推动极限，让许多人考虑即将发生的事情。 在 Glen Hawk 的美光主题演讲中，美光瞥见了他们即将推出的 3D NAND，它更加强调堆叠，而不仅仅是继续缩小芯片尺寸。 这样做的好处是放宽了缩小工艺以增加密度的限制，而是在多层上工作。 下面的照片展示了平面闪存和 3D NAND 之间的区别，展示了原型 NAND 横截面中紧密堆积的层。
虽然还有几年的时间，但它确实表明了市场的发展方向，NAND 仍将在存储市场占据强势地位。 Micron 不会确定（其他人也不会）新的闪存何时上架，除非在未来几年平面闪存达到其极限。 消费者和企业客户应该从中吸取的主要一点是，即使在硅本身的芯片缩小极限已经达到之后，NAND 闪存仍然有寿命。
