三星宣布推出首款基于其 3D V-NAND 技术的 SSD，专为企业服务器和数据中心应用而设计。 该公告已在我们参加的闪存峰会上发布。 新的 V-NAND SSD 将提供 960GB 和 480GB 两种容量。 960GB V-NAND SSD 通过 SATA 6Gb/s 连接，并利用 64 个 MLC 3D V-NAND 闪存芯片，存储容量为 128Gb，可将顺序和随机写入速度提高 20% 以上。 对于采用新技术的组织来说，也许更重要的是，新的 V-NAND SSD 提供 35K 程序擦除周期。
三星宣布推出首款基于其 3D V-NAND 技术的 SSD，专为企业服务器和数据中心应用而设计。 该公告已在我们参加的闪存峰会上发布。 新的 V-NAND SSD 将提供 960GB 和 480GB 两种容量。 960GB V-NAND SSD 通过 SATA 6Gb/s 连接，并利用 64 个 MLC 3D V-NAND 闪存芯片，存储容量为 128Gb，可将顺序和随机写入速度提高 20% 以上。 对于采用新技术的组织来说，也许更重要的是，新的 V-NAND SSD 提供 35K 程序擦除周期。
正如我们在我们的 初步覆盖 当三星最近宣布其 3D V-NAND 技术时，其实施是因为该技术将平面单元层垂直堆叠成 3D 结构。 3D 单元阵列包含 24 层，这些层与圆柱形 3D 电荷陷阱闪存单元结构和垂直互连工艺技术相连。 因此，与 3-2 纳米平面 NAND 闪存相比，三星的 20D V-NAND 制造效率提高了 30 倍。 V-NAND SSD 提供各种高度，均采用 2.5" 外形尺寸。高度为 10cm、7cm 和 7mm 的 x、y 和 z 高度，使服务器制造商具有更大的灵活性。
Samsung 最近公布的 它开始生产 V-NAND SSD。
