SanDisk 和 Toshiba 已宣布他们预计将在今年下半年开始批量出货 15nm NAND。 到目前为止，NAND 的生产质量已基本下降到 19/20nm 范围。 该合资企业将把 15 纳米闪存技术提升为每单元两位和每单元三位 NAND 闪存架构。 这项工作将在 Fab 5 中完成，取代 19nm NAND 制造。 Fab 5 的第二阶段目前正在建设中，该阶段也将处理 15nm NAND。
SanDisk 和 Toshiba 已宣布他们预计将在今年下半年开始批量出货 15nm NAND。 到目前为止，NAND 的生产质量已基本下降到 19/20nm 范围。 该合资企业将把 15 纳米闪存技术提升为每单元两位和每单元三位 NAND 闪存架构。 这项工作将在 Fab 5 中完成，取代 19nm NAND 制造。 Fab 5 的第二阶段目前正在建设中，该阶段也将处理 15nm NAND。
SanDisk 称该工艺节点为“业界最先进的……使我们能够提供世界上最小和最具成本效益的 128 吉比特芯片。” 该合资企业正在利用工艺和设计创新来沿两个轴扩展芯片。此外，SanDisk 正在整合他们的全位线 (ABL) 架构，该架构包含他们自己的编程算法和存储管理方案，而不会影响性能或可靠性。新的闪存芯片预计将驱动与 19nm 技术相同的写入性能，但由于新的高速接口，数据传输速率提高了 30%。
虽然技术亮点之外的细节很少，但 SanDisk 和东芝希望在从存储卡到企业级 SSD 解决方案的所有闪存解决方案中使用 15nm NAND。
