SK 海力士宣布他们正在开发 DDR5 多路复用器组合列 (MCR) 双列直插式内存模块的工作样本。 DDR5 MCR 被称为世界上最快的服务器 DRAM，据称可提供最低 8Gbps 的数据速率，比当前的 80Gbps DDR4.8 产品至少快 5%。
SK 海力士宣布他们正在开发 DDR5 多路复用器组合列 (MCR) 双列直插式内存模块的工作样本。 DDR5 MCR 被称为世界上最快的服务器 DRAM，据称可提供最低 8Gbps 的数据速率，比当前的 80Gbps DDR4.8 产品至少快 5%。
在最初的开发过程中，SK 海力士的工程师希望找到一种提高模块速度的方法，挑战 DDR5 运行速度依赖于 DRAM 本身的概念。 他们通过利用安装在基于英特尔 MCR 技术的 MCR DIMM 上的数据缓冲区实现了这一点，该技术支持两个列的同时运行。
这意味着 MCR DIMM 可以一次向 CPU 传输 128 字节的数据，这比传统 DRAM 模块允许的 64 字节增加了一倍。 增加支持最低 8Gbps 的数据传输速率，这是单个 DRAM 的两倍。
SK 海力士表示，由于他们与英特尔和日本半导体制造商瑞萨电子的合作，这项新创新成为可能。 具体而言，他们将模块设计能力与英特尔的至强处理器和瑞萨的缓冲技术相结合。 为了确保 MCR DIMM 的性能稳定，SK 海力士需要确保数据缓冲区和处理器（模块内外）之间的交互顺畅。 尽管如此，他们在开发 MCR DIMM 的整个过程中通力合作——从产品设计到验证。
可用性
SK海力士没有说明他们何时将产品投入量产； 然而，他们预计 MCR DIMM 市场最终会扩大到足以做到这一点，这将受到高性能计算的推动。
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