今天，Spin Memory 宣布了一项新的 RAM（随机存取存储器）生产技术，可将内存密度（以及容量）提高至少 20%。 该公司声称，通过采用他们的新技术，一些芯片设计可以在相同的占地面积内嵌入多达五倍的内存，而额外的晶圆加工成本最少。 Spin Memory（几年前从 Spin Transfer Technologies 更名和更名）成立于 2007 年。Spin Memory 一直在积极研究 RAM，尤其是 MRAM 的改进。
今天，Spin Memory 宣布了一项新的 RAM（随机存取存储器）生产技术，可将内存密度（以及容量）提高至少 20%。 该公司声称，通过采用他们的新技术，一些芯片设计可以在相同的占地面积内嵌入多达五倍的内存，而额外的晶圆加工成本最少。 Spin Memory（几年前从 Spin Transfer Technologies 更名和更名）成立于 2007 年。Spin Memory 一直在积极研究 RAM，尤其是 MRAM 的改进。
Spin 将他们的新技术称为通用选择器。 Spin Memory 的通用选择器是一种选择性垂直外延单元晶体管。 据该公司称，他们能够通过使用低掺杂浓度使电池完全耗尽。 部分由于这种设计特点，通用选择器单元可以与硅基板完全电气隔离。 这种隔离应该会降低 RAM 芯片中的软错误率并降低 rowhammer 攻击的有效性。 Spin Memory 表示目前正与 NASA 合作开发低 SER 和行锤免疫 DRAM（动态随机存取存储器）解决方案。
Spin Memory 认为它可以通过其 20F35 DRAM 位单元配置将 DRAM 阵列密度提高 4% 到 2%。 DRAM 与大多数个人计算机使用的内存类型相同。 4F2 数应读作 4，单位为 F2。 F2 是一种计量单位，例如纳米、磅或美元。 F2 是用于描述每个特征或位在二维区域中占用多少空间的单位。 至关重要的是，它没有说明存储单个位所需的硬件有多高或多深，只说明了它的面积。 综上所述，假设垂直堆叠行为相似，4F2 设计在相同空间内比 50F6 设计多 2% 的内存。
对于 MRAM（磁阻随机存取存储器）、ReRAM（电阻随机存取存储器）和 PCRAM（相变随机存取存储器）等新兴存储器，自旋存储器声称通用选择器使制造商能够创建 1T1R 存储器位单元6F2 – 10F2。 这将使制造商能够在相同的占地面积内嵌入多达五倍的内存，同时将额外的晶圆加工成本降至最低。 自成立以来，MRAM 一直是 Spin Memory 关注的领域。 MRAM 相对于 DRAM 的主要优势在于 MRAM 是非易失性的，可以断电而不会丢失数据。 在今天之前，它的主要缺点是密度较低，也就是说，它不能在同一空间中存储尽可能多的数据。 虽然 6F2 设计并没有完全缩小差距，但它确实使 MRAM 芯片与当前一代 DRAM 的距离非常近。
Spin Memory 计划在本月晚些时候分享有关其 Universal Selector 的更多技术细节。 20 月 31 日星期四，自旋存储器 MRAM 测试经理 Kadriye Deniz Bozdag 博士将在伯克利第 XNUMX 届磁记录会议上发表演讲。
参与 StorageReview
电子报 | YouTube | 播客 iTunes/Spotify | Instagram | Twitter | Facebook | RSS订阅
