Toshiba Memory America, Inc. (TMA) 今天宣布，它已开始对采用其 64 层 BiCS FLASH 3D 闪存的通用闪存 (UFS) 设备进行采样。 TMA 表示，这些新设备将能够满足需要高速读/写性能和低功耗的应用程序的性能需求。 理想的用例将出现在智能手机和平板电脑等移动设备以及增强/虚拟现实系统中。
Toshiba Memory America, Inc. (TMA) 今天宣布，它已开始对采用其 64 层 BiCS FLASH 3D 闪存的通用闪存 (UFS) 设备进行采样。 TMA 表示，这些新设备将能够满足需要高速读/写性能和低功耗的应用程序的性能需求。 理想的用例将出现在智能手机和平板电脑等移动设备以及增强/虚拟现实系统中。
东芝将发布四种容量：32GB、64GB、128GB和256GB。 所有这些设备都将闪存和控制器集成在一个符合 JEDEC 标准的 11.5x13mm 封装中。 据该公司称，该控制器执行纠错、磨损均衡、逻辑到物理地址转换和坏块管理——允许用户简化系统开发。
从性能角度来看，东芝声称读取速度为 900MB/s，写入速度为 180MB/s（64GB 版本）。 他们继续声称与前几代产品相比，随机性能提高了 200% 和 185%，但没有给出具体数字。 新设备也是 JEDEC UFS Ver. 2.1 兼容（包括 HS-GEAR3），使它们的理论接口速度高达每通道 5.8Gbps（x2 通道 = 11.6Gbps），同时还抑制了功耗的任何增加。 新的 UFS 设备通过其串行接口支持全双工，这意味着它们可以在主机处理器和 UFS 设备之间同时读取和写入。
